米国司法部当年的记录，里面有所有细节：

zte corporation agrees to plead guilty and pay over $430.4 million for violating u.s. sanctions by sending u.s.-origin items to iran

justice.gov

关于华信内部的文件是怎么详细规避禁运的，又找到了华尔街日报一篇更深入的报道，里面很多有趣的内容，我挑了一些比较典型的翻译一下（以下是华信内部文件原文）：

“在跟z集团国家(就是五个禁运国)做生意的时候，避免使用我们公司的名义直接签合同，我们应该避免直接出口给他们，而是要在国内外把产品多周转几次”

“不要使用国家的名字，而要用代号，比如yl，gb”（搞笑的是，yl的后面用括号注释《伊朗》，gb注释为古巴）。

这篇文件还承认华信跟所有五个禁运国家做生意，包括伊朗，苏丹，北朝鲜，叙利亚，古巴，不仅仅是伊朗。

这篇文件还有流程图，应该怎么规避禁运调查，事实证明太业余，没多久就露馅。

可以想象米国调查人员看到这份文件的懵逼感觉。

这是年销售千亿世界主要的电信供应商还是不入流的乡镇企业？

庞煖看来，这件事情要分两方面说，

第一，华信弱智近亲管理层，尤其是油水丰厚的海外部门高层，都是一帮关系户。放着生路不走，偏偏一路选错。现在好了吧？

美国商务部长罗斯（wilbur ross）声明，“华信在当初被美国列入‘实体清单（entity list）’时向我们撒了谎；在后来的暂缓过程中又向我们撒了谎；最后的调查过程中，还向我们撒谎。”

国家把这么多资源交给你们，你们就这么办事的？

所以，第一部分的影响是整个华信集团的经营和管理，从人事到战略，全部都会有重大变化。

第二，美国人是霸道，但是你又能怎么样呢？科技卡脖子，只能卧薪尝胆，自己搞出来，你华信还有什么联想这些国企，这些年拿着国家的投资，股民的钱，都干什么正事儿了？

还有汽车里那帮怂逼，反到是华为，吉利，比亚迪这些庶出的民企，在为国为民做事情。真的人家卡你的时候，就知道谁在裸泳了。

国家芯片产业之后应该会迎来一个爆发性投资期。

短期的损失是巨大的，但长期来看是利好整个产业向高端迈进。

在半导体工业的历史长河中，三次全球半导体硅含量提升周期中，回首检视米国、日本、韩国、欧洲、天朝台湾省等全球半导体大国/地区兴衰成败。

夫以铜为镜，可以正衣冠；以古为镜，可以知兴替；以人为镜，可以明得失。

全球半导体硅含量提升周期，就是全球半导体工业的历史长河。

米国的dram和半导体工业产值在全球市场占有率中的发展趋势：独立自主的、完整的半导体工业体系，完善的人才培养体系。

米国人在1975年之前，通过军工国防的投入领先全球建立了独立自主的、完整的半导体工业体系。同时米国人创造硅晶体管、集成电路、mos、cmos和dram等一系列半导体科技的基础。

英特尔凭借着在mos、晶体管等技术的领先优势，通过1k dram，硅片直径为50mm，芯片面积为8.5mm2，集成度为5000，占据了全球半导体dram内存市场的82.9%的市场份额。

随后莫斯泰克公司在4k dram，硅片直径为75mm，芯片面积为15.9mm2，集成度为11000。

通过单晶体管单元，差分读出技术和地址复用技术等科技红利的技术创新取代了英特尔，就集成度而言，全球半导体最先进的dram集成度从5000提升到11000，增长了120%。

这一时期，米国人是全球半导体产业绝对的领导者。

这一时期全球半导体硅含量从0到5%的提升过程中，大型机和小型机从发明到普及，米国人抓住了历史的机遇。

1975-1985年的第一次dram世界大战-美日半导体战争中，米国人在dram的竞争中开始全面被日本人赶超，dram的全球市场份额从峰值的90%左右，大幅度下滑到20%。

这使得米国半导体在全球半导体产业中的占比从峰值的90%滑落到40%左右。

米国人在dram的失败，最主要在于16k、64k、256k dram的研制上，全面落后于日本人。以16k dram为例，日本人通过二层多晶硅技术使得dram芯片的集成度达到37000，这比起当时莫斯泰克、英特尔主流产品的集成度11000整整提升了236%。

而日本人通过循环位线、折叠数据线等新技术的应用，率先推出64k dram，集成度再次提升到155000，这比起16k的11000集成度，又提高13倍，这时候米国人已经基本没有能力追赶了。

这一时期米国人在科技红利投入上，特别是有效研发投入上是低于日本人的，双方之间的dram军备竞争已经不在一个层面上进行的。

日本人通过64k dram，宣告全球半导体工业进入了新的时期-大规模集成电路时代。

科技思想上的落后使得米国人几乎错失了一个时代，米国50家半导体公司联合起来，秘密结为同盟，希望能够在256k dram反超日本人。

但是，日本人凭借“官产学”三位一体的国家力量，领先于米国人早早就实现了256k dram的规模量产。

日本人的256k dram，采用三层多晶硅和冗余技术等新技术，将集成度再次推高到555000，这在当时是无法想象的。

米国人在整个美日半导体战争的失败，可以说，全球半导体工业从mos晶体管、集成电路时代向超大规模集成电路(vlsi)时代转变过程中的失败。

关键原因在于科技红利投入，特别是有效研发投入上的落后。

而这一时期是第一次全球半导体硅含量提升周期，因为大型机、小型机的渗透率快速提升。

全球半导体硅含量从5%快速提升到20%，全球半导体工业产值从5亿美金，首次突破1000亿美金。

从1986-2016年，米国人开始捡起了央格鲁-撒克逊人的传统政策-均衡政策，通过1986、1991年两次签署的《美日半导体协议》对日本人进行限制。

日本人强大，就扶持韩国人抗衡；韩国人强大，就借助台湾人进行制约，保持着在全球半导体产业竞争中的均衡优势。